近日，兆馳半導(dǎo)體、旭顯未來(lái)相繼公布最新Micro LED專利信息，涉及低電流密度下芯片的性能提升，提高芯片內(nèi)量子效率，以及提升巨量轉(zhuǎn)移效率。

　　兆馳半導(dǎo)體：發(fā)布兩項(xiàng)專利，可提升Micro LED芯片性能

　　國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種藍(lán)光Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN118825157A，申請(qǐng)日期為2024年9月。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　該專利可降低生長(zhǎng)InGaN量子阱時(shí)的應(yīng)力，顯著改善多量子阱發(fā)光層的質(zhì)量，同時(shí)提高P型半導(dǎo)體層的空穴注入效率，從而提高M(jìn)icro LED芯片在低工作電流密度下的光效、良率等性能，適用于小尺寸、低電流以及低功率的藍(lán)光Micro LED。

　　專利摘要顯示，發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種藍(lán)光Micro?LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，外延結(jié)構(gòu)包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層，N型半導(dǎo)體層，低溫應(yīng)力釋放層，多量子阱發(fā)光層，電子阻擋層和P型半導(dǎo)體層，所述多量子阱發(fā)光層包括由下至上依次層疊生長(zhǎng)的第一淺藍(lán)光多量子阱子層第二淺藍(lán)光多量子阱子層第三藍(lán)光多量子阱子層和第四淺藍(lán)光多量子阱子層，其中每層子層均為InGaN多量子阱層與多量子壘層的超晶格結(jié)構(gòu)。

　　另外，兆馳半導(dǎo)體還申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN118825159A，申請(qǐng)日期為2024年9月。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　該專利通過(guò)在在N型摻雜GaN層和多量子阱層之間設(shè)置插入層，可以降低生長(zhǎng)多量子阱層時(shí)的應(yīng)力，并降低多量子阱層的位錯(cuò)密度，提高多量子阱層的晶體質(zhì)量，從而提高M(jìn)icro LED的內(nèi)量子效率，降低工作電壓，提升發(fā)光亮度。

　　專利摘要顯示，發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種Micro LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述外延結(jié)構(gòu)包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層，未摻雜的GaN層，N型摻雜GaN層插入層多量子阱層，電子阻擋層，P型摻雜GaN層和接觸層;其中，所述插入層包括于所述N型摻雜GaN層上依次設(shè)置的AlN層、圖形化的GaSb層、Al金屬層和InGaN層。

　　資料顯示，兆馳股份于2017年在江西南昌成立兆馳半導(dǎo)體，目前兆馳半導(dǎo)體是全球單體規(guī)模最大的數(shù)字智能LED芯片生產(chǎn)基地，也是兆馳股份LED業(yè)務(wù)板塊最主要的營(yíng)收來(lái)源，其產(chǎn)銷規(guī)模達(dá)到了110萬(wàn)片晶圓(4寸片)/月。

　　旭顯未來(lái)：取得Micro LED巨量轉(zhuǎn)移專利

　　國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，旭顯未來(lái)(北京)科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種MicroLED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN221885132U，申請(qǐng)日期為2024年2月。專利可通過(guò)在焊盤(pán)位置設(shè)置凹陷區(qū)，并利用磁性吸附的原理實(shí)現(xiàn)Micro LED芯片的快速定位安裝，可靠性高。

　　圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

　　專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置。一種Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置包括Micro LED芯片、轉(zhuǎn)移基板和搖動(dòng)單元;轉(zhuǎn)移基板上設(shè)置有焊盤(pán)位置，焊盤(pán)位置處設(shè)置有凹陷區(qū);焊盤(pán)位置的其中一個(gè)電極具有磁性;Micro LED芯片兩個(gè)電極具有磁性，其中，Micro LED芯片與轉(zhuǎn)移基板相同定義的電極上具有的磁性與焊盤(pán)位置上的磁性相反;搖動(dòng)單元與轉(zhuǎn)移基板傳動(dòng)連接并用于搖動(dòng)轉(zhuǎn)移基板，使Micro LED芯片落于凹陷區(qū)。

　　旭顯未來(lái)是一家專業(yè)從事Mini/Micro LED顯示屏生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)、軟件開(kāi)發(fā)、技術(shù)服務(wù)、系統(tǒng)集成的高新技術(shù)企業(yè)。在全國(guó)范圍內(nèi)布局了五大生產(chǎn)基地，分別位于山東、湖南、江西、安徽、浙江。

　　其中，湖南工廠于今年7月成功點(diǎn)亮第一批倒裝COB Mini LED顯示箱體產(chǎn)品。未來(lái)，該工廠可年產(chǎn)66000平方米Mini LED顯示模組。旭顯未來(lái)預(yù)計(jì)，隨著湖南工廠正式量產(chǎn)及安徽、浙江工廠的持續(xù)建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年LED模組年度產(chǎn)能可達(dá)35萬(wàn)平米。

　　在Micro LED方面，今年4月，旭顯未來(lái)曾展出全球首款真Micro LED薄膜芯片(去除原生襯底)MiP直顯4K大屏。該產(chǎn)品采用發(fā)光芯片微納化、原生襯底去除、晶圓級(jí)巨量轉(zhuǎn)印、半導(dǎo)體扇出封測(cè)等技術(shù)。

　　為進(jìn)一步推動(dòng)Mini/Micro LED技術(shù)研發(fā)，今年8月，旭顯未來(lái)的南方顯示科技研究院正式在深圳掛牌成立。研究院基于新型顯示領(lǐng)域的底層技術(shù)研究，從材料端、工藝端、光學(xué)端、電子端多學(xué)科建構(gòu)部門(mén)，建立起完備的技術(shù)和人才儲(chǔ)備，擁有從技術(shù)研發(fā)、工藝制造、生產(chǎn)器件到小間距模組的完整自主研發(fā)團(tuán)隊(duì)和完整的LED產(chǎn)業(yè)布局。